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LED发射管技术参数常识

发布日期:2017-10-06 00:00:00 作者: 点击:

   半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个LED发射管。 

(一)、LED发光原理

   LED发射管u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。  假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。

   由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。  理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光LED发射管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。


(二)、LED的特性 

1.极限参数的意义

  (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的Z大值。超过此值,LED发热、损坏。  

u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票  (2)Z大正向直流电流IFm:允许加的Z大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。  

  (3)Z大反向电压VRm:所允许加的Z大反向电压。超过此值,LED发射管u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票可能被击穿损坏。 

  (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 2.电参数的意义  

  (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长。  

u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票  (2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。  

u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票  (3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. 

  (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。 给出的二只不同型号LED发射管u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与Z大发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。  

  (5)正向工作电流If:它是指LED发射管u7澳门彩app-U7彩票注册-u7cc金牛版-u7彩票中心-∪7彩票cc-澳门u7彩票正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

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相关标签:直插式LED,LED接收头,LED发射管

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